在国家 DRAM 日回顾计算机内存的贡献

为纪念 DRAM 的发明以及它在推动世界发展中的巨大作用，美光正致力于启动“国家 DRAM 日”，以庆祝 DRAM 对创新、经济增长和社会进步的贡献，同时也大力推进内存技术的教育和研究。

为宣传该活动，爱达荷州、纽约州和弗吉尼亚州州长已发布公告，正式宣布 2024 年 6 月 4 日为“国家 DRAM 日”。“国家 DRAM 日”既是为了致敬今年早些时候辞世的 DRAM 发明者——罗伯特·登纳德 (Robert Dennard) 博士，也是为了致敬 IBM，他们的发明带来了计算领域、整个世界以及历史进程的重大改变。

在 DRAM 诞生之前，随机存取存储器 (RAM) 既复杂又笨重，并且需要消耗大量电力。在 RAM 发展的早期阶段，大型磁性存储系统需要类似房间大小的设备，且只能存储一兆字节的信息。1968 年，登纳德博士产生了一个新想法：通过普通电容器可以临时存储逻辑电压，而通过定期刷新电容器可以无限延长这种临时存储。这种新的 DRAM 架构显著提高了内存密度，并成为数字计算系统快速发展的关键所在。从诞生至今，DRAM 已成为半导体行业的基础技术，对人类社会产生了巨大影响。如今，DRAM 芯片的大小与人类指甲相仿。从智能手机到云服务器和数据中心，DRAM 无处不在。

虽然 DRAM 仅有指甲大小，但其作用非常巨大。DRAM 在推动 AI 技术、自动驾驶汽车、医疗保健等各个领域的创新方面发挥着关键作用。DRAM 出色的性能和可靠性推动技术快速进步，促进了经济发展，深刻影响了各行各业以及人类的日常生活。 

如今，美光继续走在 DRAM 创新的前沿。2022 年，美光发布了 1β (1-beta) 生产节点。该节点拥有高达 16Gb 的单颗粒容量和高达 8.5 Gbps 的数据传输速率 (LP5X)，能效比前代产品提高 15%，位密度提高 35%。在该节点技术发布初期，采用 1β 节点技术的美光 LPDDR5X 被广泛用于从云端到边缘的多种应用。 

与登纳德博士取得的突破一样，美光的技术进步同样来之不易。在新技术的背后，是致力于创新并敢于打破传统思维的美光团队成员。 

2009 年，当有人询问登纳德博士他会给那些对科学技术感兴趣的年轻人什么建议时，他回答道：“任何人都可以参与进来。这里有很多新机遇。创新不会自动发生。需要我们人类来实现这些突破。” 

我们完全同意登纳德博士的观点。

美光期待 DRAM 行业在美国继续增长，并期待出现登纳德博士曾热情谈论过的新突破。为推动美国 DRAM 行业增长，美光正在准备将前沿内存制造技术带回美国，并计划于未来 20 多年中在爱达荷州和纽约州投资 1,250 亿美元。

在首届“国家 DRAM 日”，我们不仅要赞扬登纳德博士对科学技术做出的贡献，更希望继承他的事业，激励年轻一代成为改变世界的发明家、科学家和工程师。