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1γ DRAM 技术

美光 1γ (1-gamma) DRAM 技术继续引领内存技术的进步。1γ 技术相比前一代有了显著改进,包括先进的设计优化、更低的功耗和性能扩展,彰显出美光对创新和卓越的不懈追求。

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多代技术领导力

1γ (1-gamma) DRAM 技术以 1α (1-alpha) 和 1β (1-beta) 节点实现的卓越成就为基础,与 1β 技术相比,每片晶圆的位密度可提高 30% 以上。1凭借设计上的优化,在提升速度的同时降低了功耗。极紫外 (EUV) 光刻工艺的改进,开创了一种更短时间内在硅晶片上产生更精细特征的方法。

晶圆上反射出的绿色和金色光线

卓越的工程技术

美光的 1γ DRAM 技术能够充分解锁 DDR5 的潜力,可将速度提升至 9200MT/s。与采用 1β 技术的产品相比,速度可提升 15%。更快的速度 = 更大的功耗? 对 1γ 而言并非如此。凭借卓越的工程技术,1γ DDR5 能够实现更快的速度,同时功耗可降低多达 20%。2

实验室里的工程师在显示器上查看晶圆

助力未来创新

美光的 1γ 技术推动了下一代内存创新,可解决未来应用面临的问题。随着数据中心、移动设备、汽车应用甚至个人计算机中以数据为中心的工作负载(例如 AI)不断增加,美光 1γ 有望为用户带来更低的功耗、更大的容量和业界前沿的性能。

数据中心内工作的工程师

与之前的 1β DRAM 技术相比,每片晶圆的内存密度提高

与 1β DDR5 相比,功耗降低  

与 1β DDR5 相比,速度提升 

凭借下一代内存解决方案创新引领行业

凭借工艺和设计创新,美光正在引领内存技术的代际升级,打造面向未来的内存解决方案。凭借 1γ 节点技术,美光继续引领内存技术进步,满足行业对更高性能、更低功耗和更多产能的需求。从信息图中了解更多信息。

信息图:1γ (1-gamma) 制程节点与前代制程节点之间的差异

开创性的内存技术进步可满足未来的计算需求

美光今日宣布,在业界率先送样采用 1γ (1-gamma) DRAM 节点技术的 DDR5 内存。样品将发送给部分数据中心客户、客户端客户以及生态系统内部厂商。

以金色和绿色晶圆为背景的 DDR5 SDRAM 模块

1γ 背后:美光的全新 DRAM 制程节点

美光的 1γ 技术节点是一种新的制造工艺,利用前沿的极紫外 (EUV) 光刻技术和美光的下一代高 K 金属栅极 (HKMG) CMOS 技术,在位密度和性能方面可实现大幅提升,同时显著降低功耗。阅读技术简介,深入了解 1γ 背后的先进技术。这些技术改进了 DRAM 技术并优化了晶圆厂的生产流程,使美光能够有效推进下一代内存创新,支持数据中心、移动、汽车和客户端等行业中的 AI 应用。

晶圆特写,表面反射出绿色和金色光线

特色资源

1. 基于 1β 和 1γ 制程节点的每晶圆总位数计算。
2. 基于 1γ DDR5 与 1β DDR5 的功耗(瓦特)对比计算。

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您可以通过此单一来源获取所需的工具和资源,以便充分利用美光的产品和解决方案来满足您的设计需求。

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