设计工具
公司

美光历史:公司历程

长期创新之路

1978 年,美光在爱达荷州博伊西市一家牙科诊所的地下室成立,当时只是一家仅有四名员工的半导体设计公司。到 1980 年,我们的第一家制造厂破土动工,仅仅几年后,我们推出了当时世界上最小的 256K DRAM。1994 年,我们跻身《财富》500 强,并通过在全球范围内进行技术创新、建立重要合作伙伴关系和战略收购,稳步成长为行业领导者。了解塑造美光今天成就的里程碑。

24 GB HBM3E

美光率先出货 232 层 NAND,进一步巩固技术优势地位

美光业界前沿 232 层 3D NAND 为新一轮端到端技术创新奠定了基础。凭借这一率先推出的 232 层技术,美光实现了行业前沿的存储密度、增强性能和 I/O 速度。新技术有助于在客户端、移动和数据中心市场开启数字化、优化和自动化的新机遇。

     


2023 年亮点

  • 庆祝美光成立 45 周年
  • 送样业界前沿的 8 层堆叠 24 GB HBM3E 内存
  • 宣布在印度新建半导体封装与测试工厂
  • 推出内存扩展模块系列产品,加速 CXL 2.0 普及
  • 博伊西前沿内存制造晶圆厂开工建设
全球率先推出的 232 层 NAND

美光率先出货 232 层 NAND,进一步巩固技术优势地位

美光业界前沿 232 层 3D NAND 为新一轮端到端技术创新奠定了基础。凭借这一率先推出的 232 层技术,美光实现了行业前沿的存储密度、增强性能和 I/O 速度。新技术有助于在客户端、移动和数据中心市场开启数字化、优化和自动化的新机遇。

     

黑色和粉色背景上有“50K Patents”字样

美光实现 50,000 项专利里程碑

美光科技在内存、存储、半导体技术等领域的持续创新奠定了其优势地位。获得第 50,000 项专利这一里程碑,体现了美光全球团队成员数十年来持之以恒的创造力,以及他们致力于推动创新的不懈努力。


2022 年亮点
  • 出货业界前沿 DRAM 产品,采用 1-Beta 节点技术
  • 投资 1,000 亿美元在纽约州克莱建设超级晶圆厂
  • 投资 150 亿美元在爱达荷州新建晶圆厂
  • 率先出货 232 层 NAND
  • 美光创投第二轮基金承诺投资 2 亿美元扶植深度技术初创公司
  • 美光实现 50,000 项专利里程碑
四位身穿实验室工作服的男士穿梭在各种设备间

率先推出业界 1α DRAM 制程技术

1α (1-alpha) 节点 DRAM 产品采用业界前沿 DRAM 制程技术,在位密度、功率和性能方面提供了重大改进。这种新的 DRAM 技术应用范围广泛且影响深远,可提高从移动设备到智能车辆等各种设备的性能。


2021 年亮点

  • 在亚特兰大开设设计中心
  • 发行首笔 10 亿美元绿色债券
  • 投资超过 1,500 亿美元,用于前沿内存和研发
  • 在全球范围实现全面薪酬平等
  • 率先推出 1α DRAM 技术
GDDR6X

率先推出采用 PAM4 多级信令的内存 GDDR6X

GDDR6X 是业界速度出众的独立显存解决方案,率先助力系统带宽实现高达 1 TB/s。GDDR6X 的多级信令创新打破了传统的带宽限制,增强了下一代游戏应用的复杂图形工作负载性能,还实现了创纪录的速度。

     

176 层 NAND 闪存

率先出货业界 176 层 NAND 闪存

全球率先推出的 176 层 3D NAND 闪存实现了更佳的业界前沿密度和性能。美光全新 176 层技术和先进架构实现了根本性突破,可在数据中心、智能边缘和移动设备等一系列存储用例中实现应用性能的巨大提升。


2020 年亮点

  • 捐赠 5,000 万美元支持弱势群体社区发展
  • 为受新冠疫情影响的全球社区捐赠 3,500 万美元
  • 在全球率先出货 176 层 NAND 闪存
2019 年亮点
  • 入选《福布斯》“多元化最佳雇主”榜单
  • 收购 FWDNXT
  • 在日本广岛开设先进 DRAM 技术中心
四层单元 NAND SSD

美光率先推出业界四层单元 NAND SSD

美光率先推出采用变革性四层单元 (QLC) NAND 技术构建的 SSD。美光® 5210 ION SSD 的位密度较三层单元 (TLC) NAND SSD 高出 33%,适用于此前采用机械硬盘 (HDD) 的细分市场。


2018 年亮点

  • 首次获得“最佳职场”(Great Place to Work®) 认证
  • 庆祝美光成立 40 周年:四十载积累,再创新辉煌
  • 宣布捐赠 100 万美元,用于推动 AI 研究发展
  • 在弗吉尼亚州马纳萨斯开设长生命周期产品卓越中心
各种物联网设备展示

美光宣布推出用于物联网设备的 Authenta™ 安全技术

美光® Authenta™ 技术有助于在闪存中实现强大的加密物联网设备标识和健康管理,从启动进程开始为物联网设备软件的至低层提供独特级别的保护。

     

NVDIMM

此美光模块容量为 32 GB,是 NVDIMM 的两倍

美光将其 DDR4 NVDIMM 的密度增至 32 GB,是此前解决方案容量的两倍。NVDIMM,也称为持久性内存,即使在断电后也可在 DRAM 中长久存储数据。美光 32 GB NVDIMM-N 模块具有高容量和更快的吞吐速度。


2017 年亮点

  • 在中国台湾建立大容量 DRAM 卓越中心
  • 在博伊西建立技术创新卓越中心
  • 入选 Mogul“多元和包容百强创新企业”
GPU

美光推出业界速度出众的图形 DRAM——GDDR5X

这种内存具备创纪录的每针高数据速率,拥有出众的图形性能和 GPGPU 计算能力。GDDR5X 提供高达 14 GB/s 的数据速率,几乎是之前 GDDR5 内存带宽的两倍。

     

美光 512 闪存

美光成立 Xccela™ 联盟,以推广新型接口总线

Xcella™ 行业联盟的创建有助于加速对 Xccela 总线接口的采用,这是一种新型高性能数字互连,适用于易失性和非易失性存储器。


2016 年亮点

  • 收购 Inotera Memories
  • 基于员工投票,入选《财富》“最受员工欢迎的 500 家公司”
  • 在新加坡建立 NAND 卓越中心
3D NAND 闪存

美光和英特尔或将推出具有划时代密度的 3D NAND 闪存

3D NAND 成为半导体未来发展的一个重要转折点。通过垂直叠加数据存储单元层,3D NAND 的容量是平面 NAND 技术的三倍。

     

3D XPoint

美光和英特尔宣布推出 3D Xpoint™ 技术

3D XPoint 是数十年来率先推出的新内存类别。这种非易失性存储器的速度可达到 NAND 的 1,000 倍,耐用度比 NAND 高 1,000 倍。


2015 年亮点

  • 美光在《电子设计》杂志评选出的“50 家最佳雇主”中排名第一
  • 收购 Tidal Systems
  • 收购 Convey Computer
  • 收购 Pico Computing
8 GB DDR3 SDRAM

美光率先推出 8 GB DDR3 单片 SDRAM,在业界占据优势地位

此产品提供显著的单器件密度提升,单芯片容量可达 1 GB。更高的密度实现了高成本效益的大容量解决方案,可以更好地支持大规模、数据密集型工作负载。

     

美光提供世界上尺寸更小的 16 纳米 NAND 闪存设备

美光提供世界上尺寸更小的 16 纳米 NAND 闪存设备

美光的 16 纳米制程技术在单个颗粒上提供了 16 GB 的存储空间,是迄今为止开发的密度出众的平面 NAND 闪存。通过使用此工艺,单个 300 纳米晶圆可产生近 6 TB 的存储。

     


2013 年亮点

  • 收购 Elpida Memory Inc. 和 Rexchip Electronics Corporation
率先推出的 2.5 英寸 PCIe 企业级 SSD

美光生产业内前沿的 2.5 英寸 PCIe 企业级 SSD

该解决方案将高性能 PCI Express 接口与外形尺寸为 2.5 英寸的热插拔定制款美光控制器相结合,为实现企业性能可扩展性和可服务性创造新的选择。

     

DRAM

美光为 Ultrabooks™ 设备创造出新的低功耗 DRAM 类别

DDR3L-RS 内存是一种新型的“低功耗”DRAM 解决方案,为新一代高性能超薄设备(如笔记本电脑、平板电脑和 Ultrabook 系统)提供了更长的续航时间。
*Ultrabook 是英特尔公司或其子公司在美国和/或其他国家的商标。

  • 庆祝美光成立 45 周年
  • 送样业界前沿的 8 层堆叠 24 GB HBM3E 内存
  • 宣布在印度新建半导体封装与测试工厂
  • 推出内存扩展模块系列产品,加速 CXL 2.0 普及
  • 博伊西前沿内存制造晶圆厂开工建设
率先推出的仅指尖大小的 20nm MLC NAND

美光和英特尔率先推出 20 纳米的 MLC NAND

该 128 GB MLC 内存能够在仅含 8 个颗粒的指尖大小的封装中存储 1 TB 数据,树立了新的存储基准。此外,这款内存率先采用创新平面单元结构,克服了标准浮动栅极 NAND 的缩放限制。

     

混合存储立方体

美光率先推出混合存储立方体 (HMC) 架构

混合存储立方体 (HMC) 是一种变革性的 DRAM 架构,它使用硅通孔 (TSV) 技术将高速逻辑与内存颗粒堆栈组合在一起。美光会继续将 HMC 的特性应用于未来新兴的内存技术。

2010 年亮点
  • 美光从 Intel、STMicroelectronics、N.V. 和 Francisco Partners 手中收购 NOR 制造商 Numonyx B.V.
SSD

美光推出 RealSSD™ C300,这是业内速度出众的客户端 SSD

在推出时,C300 SSD 可为笔记本电脑和台式电脑提供更快的速度。通过支持 SATA III 接口,此 SSD 提供 6 GB/s 的吞吐速率,可显著提升吞吐量,加速数据传输、应用负载和启动时间。

     

2008 年亮点
  • 美光与 Nanya 合作成立 DRAM 合资企业 Inotera Memories
  • 庆祝美光成立 45 周年
  • 送样业界前沿的 8 层堆叠 24 GB HBM3E 内存
  • 宣布在印度新建半导体封装与测试工厂
  • 推出内存扩展模块系列产品,加速 CXL 2.0 普及
  • 博伊西前沿内存制造晶圆厂开工建设
率先推出的双间距 NAND

美光开发出业内前沿的双间距 NAND

美光将间距加倍作为一种光刻技术推出,用于在不改变光刻技术的前提下提高位密度。这种方法涉及到将位线分离成第一和第二金属层,使美光能够以现有的 50 纳米技术提供 16 GB MLC 设备。

     

低功耗 RLDRAM 2 内存

美光推出低延迟、低功耗的 RLDRAM 2 内存

这种高性能 DRAM 起初是为联网设计的,很快成为某个特殊应用程序的优选解决方案:基于 DLP 的电视和投影机。虽然随着时间的推移,密度已经增加,但减少 DRAM 的延迟仍然是现今联网应用程序的主要内容。

     

低于 40 纳米的 NAND 闪存

美光和英特尔率先推出低于 40 纳米的 NAND 闪存

这款多层单元 (MLC) NAND 闪存设备是业界前沿的 32 GB 单片 NAND,可以在数码相机、个人音乐播放器和数码摄像机等小型设备中实现高密度固态存储。

     

  • 庆祝美光成立 45 周年
  • 送样业界前沿的 8 层堆叠 24 GB HBM3E 内存
  • 宣布在印度新建半导体封装与测试工厂
  • 推出内存扩展模块系列产品,加速 CXL 2.0 普及
  • 博伊西前沿内存制造晶圆厂开工建设
身穿蓝色工作服工作的女性

美光开发出 Mongoose 测试仪,以提高准确性,降低成本

美光专门使用这种内部开发的测试仪来提高 DRAM 测试吞吐量和准确性。美光继续发展该测试仪平台,以满足新的和未来的内存标准。

     

美光 16 GB DDR2

美光推出世界上密度出众的服务器内存模块

随着将多个应用程序集成到单个服务器这一虚拟化技术的兴起,在美光 16 GB DDR2 模块的助力下,21 世纪的服务器内存使用量迅速增长。这些高密度的服务器模块在现今仍是一种趋势。


2006 年亮点
  • 收购 Lexar Media
LPDRAM

美光推出大容量、低功耗移动 LPDRAM

美光的 16 MB DRAM(建立在 33 平方毫米的小型颗粒上)体积小巧,但容量更高,功耗更低。随着手机从简单的语音通话过渡成多媒体设备,对 LPDRAM 的需求量急剧增加,如今的智能手机延续了这一趋势。

     


2005 年亮点
  • 美光与英特尔合作成立 NAND 合资企业 IM Flash Technologies
面向手机的伪静态 RAM

美光面向手机推出伪静态 RAM

伪静态 SRAM (PSRAM) 提供在移动设备中取代 SRAM 所必需的高带宽、大容量和低功耗。美光在 PSRAM 的优势地位为未来生产低功耗的 DRAM 产品铺平了道路,这些产品目前用于移动设备。

     

DRAM 单元

美光开发出行业内前沿的 6F2 DRAM 单元

美光开发出一种新的 6F2 单元架构,以取代业内的 8F2单元标准,使每片颗粒可多出约 25% 的位容量。这种高密度的设计使美光重新成为业内更具成本竞争力的内存生产商。


2004 年亮点
  • 美光率先出货 2G NAND 闪存产品
图像传感器

美光开发出 130 万像素的 CMOS 图像传感器

美光迈入了图像传感器领域,成为一家能够制造 CMOS 技术的创新者,其图像质量堪比电荷耦合设备 (CCD) 传感器。如今,从智能手机到高端专业设备,CMOS 传感器已成为所有类型数码相机的标准配置。

     

前沿的 1 GB DDR

美光展示了业界率先采用 110 纳米制程的 1 GB DDR

美光的 1 GB DDR 采用业界颇为先进的制程技术(110 纳米),而半导体巨头 Intel 和 AMD 仍在使用 130 纳米制程。该芯片具有出众的密度和接口性能,助力美光在内存行业确立优势地位。

     


2002 年亮点

  • 美光展示全球前沿的 1 GB DDR DRAM 产品
  • 美光收购了东芝 Dominion 半导体的商用 DRAM 业务,Dominion 半导体是日本东芝公司在弗吉尼亚州马纳萨斯的子公司。
SRAM

美光的四倍数据倍率 SRAM 使内存带宽加倍

美光创新型四倍数据倍率 (QDR) 架构有效地将 SRAM 带宽增加了一倍,用于交换机和路由器等通信应用。这种独特的设计使用两个端口以双倍数据率独立运行,使得每个时钟周期有四个数据项。

前沿的 DDR DRAM

美光生产行业内前沿的 DDR DRAM

美光对 Samurai 双倍数据率 (DDR) 芯片组的演示证明,DDR 内存可提供与 Direct RDRAM 解决方案相当的性能,但成本更低。未来 DDR 将成为高性能 DRAM 无可争议的行业标准接口。

     


1999 年亮点

  • 美光基金会成立,旨在推动 STEM 教育并为社区提供支持。
1998 年亮点
  • 美光收购 Texas Instruments 全球存储业务,成为全球排名前列的存储产品制造商。
Windows 3.1 桌面

美光 16 兆比特 DRAM 使个人电脑能够安装新版 Windows 3.1

16 兆比特 DRAM 取代了美光主流 4 兆比特 DRAM 系列,实现了密度里程碑。这些容量更高的芯片与 Microsoft 发布的 Windows 3.1 相兼容,这促使将对 PC RAM 的至低要求提高到了 1 兆字节。

     

前沿的 RAM 产品

美光推出前沿的视频 RAM 和快速静态 RAM 产品

256K 视频 RAM 和快速静态 RAM 的推出,使美光的产品组合范围超越了传统 DRAM,让美光成为差异化内存类型领域的参与者。

     

1 兆比特 DRAM

美光 1 兆比特 DRAM 问世

1 兆比特 DRAM 是密度领域的一个里程碑,在上世纪 80 年代末和 90 年代成为个人电脑和显卡的主内存。美光 1 兆比特 DRAM 支持大容量 SIMM 模块,该模块可支持搭载新版 Microsoft Windows 操作系统的个人电脑。

     


1987 年亮点

  • 美光推出了 1M DRAM 产品
尺寸更小的 256K DRAM 芯片

美光发布了世界上尺寸更小的 256K DRAM 芯片

除了作为世界上较小尺寸的 256K DRAM 颗粒推出以外,该芯片还代表了 DRAM 密度领域的行业里程碑。256K DRAM 采用更大、更易读取的内存单元,助力这家年轻的内存初创企业在未来提高效率并实现盈利。

     


1984 年亮点

  • 美光在全球推出尺寸更小的 256K DRAM 芯片
  • 美光成为 NASDAQ 上市公司
前沿的 64K DRAM 产品

美光发布了前沿的 64K DRAM 产品

美光的 64K DRAM 是在爱达荷州博伊西新建生产基地生产的第一款产品。美光面向许多首批量产个人电脑(Commodore 64 家用电脑)的厂家销售其 64K DRAM。

     


1981 年亮点

  • 出货首批 64K DRAM 产品。
1980 年亮点
  • 美光的第一家晶圆厂在爱达荷州博伊西破土动工。
美光工程师完成 64K DRAM 工程设计

美光工程师们最终完成 64K DRAM 设计

虽然不是首家生产 64K DRAM 的公司,但美光的工程师们开发出一个更新、更小的版本,被誉为全球尺寸更小的 64K DRAM。这一创新设计助力美光在 1981 年实现前沿 64K 产品的量产。

     

四位美光创始人携手合作

美光科技成立

美光起初是一家只有四名员工的半导体设计公司,位于爱达荷州博伊西市一家牙科诊所的地下室。美光的第一份合同是为 Mostek 公司设计 64K 内存芯片。

     


1978 年亮点

  • Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)于 1978 年 10 月 5 日成立。