上个月，美国国会通过了《芯片与科学法案》（拜登总统将于今天签署该法案），抓住了加强技术领先地位和全球竞争力的历史性机遇。为了响应这一重要的立法里程碑，美光宣布承诺在 2030 年前投资 400 亿美元用于前沿内存制造，这是美国有史以来在内存领域的最大投资。由于《芯片与科学法案》所提供的预期拨款和贷款，现在，美光可以充满信心地朝着这一重要的长期投资计划迈进。
我赞扬国会领导层为确保两党支持该法案所做的努力，并祝贺拜登总统和他的政府，特别是雷蒙多国务卿，他们为法案的通过发挥了关键作用。他们的领导为确保美国成为世界上最具创新性的前沿内存制造和研发所在地创造了可能。《芯片与科学法案》是在未来几十年里加强和维持美国技术领先地位的重要第一步。
如今，每 50 个内存芯片中，只有一个是在美国国内制造的（并且所有国内产量均来自美光晶圆厂）。我们计划的投资将使美国的内存芯片产量能够在未来十年内达到十分之一。这有助于保障供应链安全，实现更加可靠、可信赖的半导体供应，对国家安全有着深远的影响。
在国内建立新的内存制造工厂有利于美国取得技术领先地位，同时促进各个行业和整个社会的增长。这样的投资可在技术制造业内外创造成千上万个就业岗位，并带来广泛的行业创新。我们计划在美国进行的投资将为美国创造多达 40,000 个新的就业岗位，其中包括美光内部约 5,000 个高薪技术和运营岗位。它将为尤其复杂的技术解决方案带来先进的内存，现在这些解决方案将能够自豪地贴上“美国制造”标签。
《芯片与科学法案》提供的投资将在美光美国制造工厂的建设中发挥重要作用。我们位于爱达荷州博伊西的公司总部是我们研究团队的中心，也是美光在美国的唯一 DRAM 研发设施。迄今为止，我们已经投资了数十亿美元来扩大我们在弗吉尼亚州马纳萨斯的制造基地。我们还在去年年底建立了亚特兰大设计中心，该中心将雇用一支多元化的员工队伍，专注于设计能进一步推动物理定律发展的下一代内存。
我们目前所计划的制造投资建立在美光几十年来的技术、制造和卓越运营基础上，是满足市场对创新内存解决方案的长期需求的必要举措。很快，美国将再次成为世界上先进内存制造所在地。我真的很高兴能见证美国半导体制造业迎来这一新纪元，相信所有美光人亦是如此。
