一股创新浪潮已经到来—— 支持 5G 的智能手机正在改变我们的生活。我们将迎头而上，探究这股 5G 创新洪流将带来怎样的全新用户体验。
然而，要想融合移动、5G 和人工智能 (AI) 技术，我们必须首先革新自己的思维方式。新的方式将会是整体性的，不仅要实现高内存带宽和容量，同时需要满足更短的延迟和更低的功耗。
美光在移动内存和存储领域的前沿优势使 5G 体验的全部潜力得以释放。我们率先实现了 LPDDR5 的量产，并率先将 uMCP5 技术应用于 5G 市场。我们持续助力手机厂商，帮助他们充分利用 1 Gbps 甚至更快的 5G 下载速度，以发挥先进处理引擎的能力。
美光在高端和旗舰手机的内存创新方面一直处于领先地位。公司近日宣布，已在全球率先批量出货基于 176 层 NAND 技术的通用闪存 UFS 3.1 移动解决方案。此外，更新后的 uMCP5 产品采用了基于 UFS 的多芯片封装，并搭载低功耗 DDR5（LPDDR5）DRAM，现已处于客户验证阶段。美光此前推出的 176 层 NAND 技术是全球前沿闪存技术，其密度水平位于行业前列。
美光适用于移动领域的 176 层 UFS 3.1 产品。
凭借更高的带宽、更短的延迟和更高的能效，新的 176 层 3D NAND 帮助智能手机设计人员在应用程序之间实现真正的多任务处理，从而打造更高响应的移动体验，也极大的延长了电池续航时间。技术能否为消费者提供他们想要的移动体验？ 当然可以，以下内容就解释了技术的实现方式。
下载和应用程序启动速度更快
利用 5G 连接，支持 AI 的移动应用正在实现比以往任何时候都更加丰富的沉浸式用户体验。消费者希望这些体验能够像最简单的智能手机任务一样顺畅、快速地运行。智能手机上可以观看节目和歌曲，通过社交网络将用户与朋友和家人联系起来，捕捉生活中最珍贵的时刻。沉浸式体验是理想的智能手机体验的一部分，人们期望自己的意图瞬间就能被响应。
而新兴的 AI 技术，例如计算摄影、4K/8K 视频采集和直播、混合现实 (AR/VR) 和游戏机式的云游戏，都需要快速内存来迅速保存和打开下载的文件并启动应用程序。由 AI 应用程序生成并处理的大量 5G 数据是实现这些应用场景的基础。
随着 5G 变得无处不在，移动内存和存储性能也必须提升，以匹配更快的数据下载速度。美光 176 层 UFS 3.1 移动存储支持更快的下载速度，使手机启动和切换应用的速度更快，支持多任务处理，从而打造更为流畅的移动体验。消费者可充分利用高达 20 Gbps 的 5G 峰值数据速率，混合工作负载性能可以提高 15%，读/写延迟将降低 35% 以上。与美光的前代大容量 3D NAND 相比，新一代的 176 层 NAND 极大的提升了应用程序性能，顺序写入时间缩短了至高 75%。1
对用户来说，这意味着下载一部 10 分钟的 4K（2160 像素分辨率）网络视频只需 0.7 秒，而下载一部 2 小时的 4K 电影只需 9.3 秒，这比当前的 5G 速度快得多。2
与上一代 NAND 相比，美光 176 层 NAND 还提高了服务质量 (QoS)，响应延迟缩短了约 10%，从而加快了应用程序的启动和切换。它还实现了超过前代产品逾两倍的可写入总字节数 (TBW)，提高了颗粒的稳定性和寿命。
由美光移动技术提供支持
将美光 176 层 NAND 应用于 UFS 3.1 解决方案，我们为用户提供了响应性更好的移动体验，真正实现了跨应用程序的多任务处理。该存储解决方案将与我们的移动产品线，例如新的 LPDDR5 和 1α LPDDR4X 内存解决方案一起，推动下一波 5G 和人工智能手机的发展。
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1. 比较基于美光使用浮动栅极的 96 层 NAND 的上一代 UFS 3.1。
2. 给出的时间基于实际使用情况，使用 256GB 容量和每小时 7GB 文件大小的 4K 视频计算得出。176 层 UFS 3.1 比我们上一代使用浮动栅极 96 层 NAND的 UFS 3.1 快 15%。
3. 比较基于美光使用浮动栅极的 96 层 NAND 的上一代 UFS 3.1。测试用例包括启动时间和图像加载。