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DRAM 器件

DDR5 DRAM

可用于 Intel® Xeon® 6 处理器的高性能、大容量内存

美光提供更高带宽、更低延迟和更大容量的 MRDIMM 主内存,可用于加速使用 Intel Xeon 6 处理器的内存密集型工作负载,如 AI 和高性能计算环境等。

我们的大容量 MRDIMM 提供从 32GB 到 256GB 的容量选择,可轻松部署在数据中心环境中。美光的高性能 MRDIMM 解决方案在带宽和能效方面可提高 39%。

多个 DDR5 MRDIMM 的图片

业界率先推出的可扩展内存

美光的高性能 DRAM 拥有以下优势:

  • DDR5 RDIMM 扩展后的总带宽高达 9200 MT/s,MRDIMM 扩展后的总带宽高达 8800 MT/s
  • 与 3200 MT/s 的 DDR4 SDRAM 相比,DDR5 SDRAM 内存的带宽最高可提升 1 倍
  • 基于 32Gb 单颗粒的 128GB RDIMM 带来了更大容量
美光 DDR5 MRDIMM

美光 96GB 和 128GB 大容量 RDIMM 助力 AI 发展

美光业界前沿的大容量 RDIMM 模块正在全球各地推动 AI 数据中心的发展。这款 128GB DDR5 RDIMM 内存采用美光行业前沿的 1β (1-beta) 技术,与采用 3DS 硅通孔 (TSV) 技术的竞品相比,位密度提高 45%4 以上,能源效率提升高达 22%5,延迟最多降低 16%4。 

并排放置的美光 DDR5 RDIMM 96GB 和 128GB 模块

开创性的内存技术进步可满足未来的计算需求

美光今日宣布,在业界率先送样采用 1γ (1-gamma) DRAM 节点技术的 DDR5 内存。样品将发送给部分数据中心客户、客户端客户以及生态系统内部厂商。

DDR5 RDIMM 器件

美光 DDR5 SDRAM:可扩展内存,用于应对不断增加的处理器核心数量

提升现代工作负载的性能,更大的内存带宽有助于快速高效地从大型数据集中获取洞察。

Mixed race technician using digital tablet in server room

DDR5 技术支持计划

DDR5 技术支持计划 (TEP) 提供了进入美光生态系统的途径。参加计划的公司可提前获得技术信息和支持、电气模型和热模型,以及内存产品,来协助美光设计、开发和推出下一代计算平台。

抽象的霓虹灯光线汇入数字化技术隧道。抽象的未来主义技术背景,前景为代表网络、大数据、数据中心、服务器、互联网、速度的线条。3D 渲染

DDR5 的优势


详细信息


美光 DDR5:支持 Intel 新一代服务器平台的内存技术

Intel 宣布推出采用第四代 Intel® Xeon® 可扩展处理器的新一代服务器。与前几代产品相比,美光 DDR5 在 Dell PowerEdge 760 平台上运行 SPECjbb 的速度提高 48%。3

昏暗的服务器机房内用于 3D 渲染的数据中心存储设备

升级到 DDR5 的优势

DDR5 是新一代 DRAM 内存,具有一系列强大的功能,可提升可靠性、可用性和可维护性 (RAS),降低能耗并显著提高性能。请查看下方表格,了解 DDR4 和 DDR5 之间的一些主要特性差异。

 

特性/选项DDR4DDR5DDR5 优势 
数据速率 600-3200MT/s4800-8800MT/s 提高性能和带宽 
VDD/VDDQ/VPP 1.2/1.2/2.5  1.1/1.1/1.8更低功耗 
内部 VREFVREFDQVREFDQ、VREFCA、VREFCS提高电压裕度,降低 BOM 成本 
设备存储密度 2Gb-16Gb 16Gb、24Gb、32Gb支持容量更大的单芯片设备 
预取 8n16n保持较低的内部核心时钟 
DQ 接收器均衡CTLEDFE改善 DRAM 内接收的 DQ 数据眼图的张开度 
占空比调整 (DCA)DQ 和 DQS改善发送 DQ/DQS 引脚上的信号 
内部 DQS 延迟监控
无 DQS 间隔振荡器 增强环境变化时的稳健性 
片上 ECC128b+8b SEC、错误检查和清理增强片上 RAS 
CRC写入读/写通过保护读取数据操作增强系统 RAS 
存储体组 (BG)/存储体 
4 BG x 4 存储体 (x4/x8)
2 BG x 4 存储体 (x16)
8 BG x 4 存储体 (16-64Gb x4/x8)
4 BG x 4 存储体 (16-64Gb x16)
提高带宽/性能 
命令/地址接口ODT、CKE、ACT、RAS、CAS、WE、A<X:0> CA<13:0>显著减少 CA 引脚数 
ODTDQ、DQS、DM/DBIDQ、DQS、DM、CA 总线 提高信号完整度,降低 BOM 成本 
突发长度BL8(以及 BC4)BL16(以及 BC8 OTF)仅使用 1 个 DIMM 子通道即可获取 64B 缓存行。 
MIR(“镜像”引脚)有 改善 DIMM 信号 
总线反转 数据总线反转 (DBI)命令/地址反转 (CAI)降低 VDDQ 噪声 
CA 训练、CS 训练CA 训练、CS 训练改善 CA 和 CS 引脚上的时序裕度 
写入均衡训练模式进一步改进补偿不匹配的 DQ-DQS 路径 
读取训练模式可通过 MPR 实现专用 MR,用于串行(用户定义)、时钟和 LFSR 生成的训练模式使读取时序裕度更加稳健 
模式寄存器7 x 17 位最多 256 x 8 位(LPDDR 类型读/写) 提供扩展能力 
PRECHARGE 命令所有存储体、每个储存体所有存储体、每个储存体、同一存储体PREsb 允许在每个 BG 中对存储体预充电 
REFRESH 命令 所有存储体所有存储体、同一存储体REFsb 允许在每个 BG 中刷新存储体 
环回模式支持 DQ 和 DQS 信号测试  

美光的 DDR5 生态系统伙伴

美光与部分生态系统伙伴密切合作,为客户提供提前体验下一代存储和内存协议的机会。了解详情:

1.  美光与 AMD 合作,为数据中心提供下一代高性能平台。

2.  美光与 Intel 合作提供下一代服务器平台。

特色资源

常见问答

DDR5 DRAM 是指第五代双倍数据率 (DDR) 动态随机存取存储器 (DRAM) 技术。DDR 在时钟信号的上升沿和下降沿都可传输数据。DRAM 是一种半导体内存技术,它将数据位存储在包含电容器和晶体管的内存单元中。美光 DDR5 DRAM 内存提供 16/32/64GB 和 24/48/96GB 容量选择。

1.  STREAM 基准测试:单插槽第三代 AMD EPYC CPU 7763(64 核)搭配美光 DDR4 3200 MHz 使用,系统性能可达 189 GB/秒;单插槽第四代 AMD EPYC CPU 9654(96 核)搭配 Micron DDR5 4800 MHz 使用,系统性能可达 378 GB/秒;此结果基于美光奥斯汀实验室所做测试。
2.  目前正在向生态系统伙伴送样。
3. https://www.dell.com/en-us/blog/leading-sap-hana-performance-by-dell-poweredge-r760-servers/在新标签页中打开
4. 基于竞品的数据表和 JEDEC 规范。
5. 与 SK 海力士的 5,600 MT/s 3DS TSV 产品相比,美光 5,600 MT/s 128GB DDR5 RDIMM 内存的能源效率提高 22.2%。

 

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