设计工具

DRAM 器件

从 DDR3 到 DDR4

比较 DDR3 和 DDR4 内存之间的一些关键特性差异。

DDR4 相较于 DDR3 的优势

DDR4 是新一代 DRAM 内存,具有更高的性能和更强大的控制功能,还可提升企业应用、微服务器、平板电脑和超轻薄客户端设备的能效。下表比较了 DDR3 和 DDR4 之间的一些关键特性差异。

特性/选项 DDR3 DDR4 DDR4 优势
 电压(核心和 I/O)  1.5V  1.2V  减少内存功耗需求
 VREF 输入  2 – DQ 和 CMD/ADDR  1 – CMD/ADDR  VREFDQ 现在位于内部
 低电压标准  支持(DDR3L 为 1.35V)  不支持  更低的内存功耗
 数据速率 (Mb/s)  800、1066、1333、1600、1866、2133  1600、1866、2133、2400、2666、3200  升级到更高速度的 I/O
 存储密度  512Mb–8Gb  2Gb–16Gb  更容易构建大容量内存子系统
 内部存储体个数  8  16  更多存储体
 存储体组 (BG)  0  4  更快的突发访问
 tCK – DLL 启用  300 MHz 至 800 MHz  667 MHz 至 1.6 GHz  更高的数据速率
tCK – DLL 禁用  10 MHz 至 125 MHz(可选)  未定义至 125 MHz  现已完全支持 DLL-off 模式
 读取延迟  AL + CL  AL + CL  扩大值
 写入延迟  AL + CWL  AL + CWL  扩大值
 DQ 驱动器 (ALT)  40Ω  48Ω  专为 PtP(点对点)应用优化
 DQ 总线  SSTL15  POD12  更低的 I/O 噪声和功耗
 RTT 值 (Ω)  120、60、40、30、20  240、120、80、60、48、40、34  支持更高的数据速率
 禁止 RTT  读取突发  读取突发期间禁用  易于使用
 ODT 模式  标称、动态  标称、动态、驻留  额外的控制模式;支持 OTF 值变更
 ODT 控制  需要 ODT 信号  不需要 ODT 信号  易于使用的 ODT 控制,允许 PtP 应用上的非 ODT 路由
 多用途寄存器 (MPR)  4 个寄存器 – 1 个已定义,3 个 RFU  4 个寄存器 – 3 个已定义,1 个 RFU  提供额外的专用读出器

 

设计工具

您可以通过此单一来源获取所需的工具和资源,以便充分利用美光的产品和解决方案来满足您的设计需求。

Blue and purple technology circuit

客户支持

需要联系我们? 请联系我们的支持服务团队,获取我们各运营地点的联系人信息。

搜索、筛选和下载数据表

获取有关产品特性、规格、功能等的详细信息。

订购美光产品样品

用于订购美光内存样品及跟踪订单的在线资源。

下载及技术文档

这些资源可以帮助您设计、测试、构建和优化创新解决方案。