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3D NAND 闪存

美光移动 TLC 3D NAND

美光移动 TLC 3D NAND 内存技术存储容量更大、速度更快,可满足现代智能手机对速度和功能的需求。

为您的想象力插上翅膀

如今的移动设备愈发智能。最近的创新带来了用户与智能手机的全新互动方式,包括高级用户身份验证、增强现实、语言识别,以及更加个性化的图像处理功能。这些用户体验需要借助当今智能手机中嵌入的人工智能 (AI) 引擎来实现。 

AI 引擎只有快速获得存储在本地的大量数据,才能及时作出响应。美光创新型 232 层三层单元 (TLC) 3D NAND 技术提供智能手机所需的速度和功能,存储容量大幅提升且性能超快。

美光 3D NAND 器件和手机图标,有“第二代 3D TLC NAND”字样

优势

更大的存储容量

美光 232 层 TLC 3D NAND 技术采用 CMOS 阵列下(CMOS Under Array)架构,与上一代 TLC 3D NAND 相比,封装尺寸相同,但存储密度提高了一倍。 

业界前沿的性能

美光 232 层 TLC 3D NAND 产品的速度相比上一代 TLC 3D NAND 大幅提升。

UFS 2.1 高速 Gear 3 接口

带宽比 e.MMC 5.1 增加一倍,命令队列技术支持同时读取和写入命令。

可靠性提升

与竞品使用的电荷阱技术相比,美光独特的浮动栅极技术具备更强的数据保留能力。浮栅技术采用互相隔离的电荷存储节点,单元间电荷隔离效果更佳,数据保留能力和可靠性更强。

节能

美光 TLC 3D NAND 采用峰值功耗管理系统,可显著降低智能手机内存的峰值功耗。