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NAND 闪存
多层单元 (MLC) NAND 闪存每单元可存储 2 位数据，实现了性能和写入耐久性的良好平衡，适用于广泛的成本敏感型大容量应用。
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本指南介绍了美光提供的各种闪存技术，旨在帮助系统设计师根据需求选择合适的闪存解决方案。
简要介绍每种 NAND 闪存的特性和优势，帮助设计师选择合适的产品。
如果您的写入密集型企业应用需要比 SLC NAND 更经济高效的解决方案，那么美光的企业级 MLC (eMLC) NAND 可能是您的不二之选，它是事务密集型数据服务器和企业设备的理想存储解决方案。
美光 20nm 和 16nm FortisFlash 器件采用 1 到 16 个颗粒堆叠的标准 BGA 封装，具备媲美高速 MLC 的性能，同时提供更持久的耐用度。耐用度比标准 MLC 更持久，同时避免了企业级 MLC (eMLC) 的使用限制。
移动计算和数据中心不断增长的需求推动了大容量、高性能 NAND 闪存技术的发展。随着平面 NAND 技术接近其容量提升的物理极限，仅靠升级换代难以满足市场需求。美光的 3D NAND 技术采用创新型制程架构，能提供相当于平面 NAND 技术三倍的容量，且性能和可靠性更佳。
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