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NAND 闪存
美光的 G8 四层单元 (QLC) NAND 是一项突破性成就，为 OEM 客户提供了更高的 QLC NAND 闪存层数和存储密度。美光 G8 QLC NAND 拥有出众的密度和出色的性能，提供比以往更高的存储容量和更大的设计灵活性。1
详细信息
继率先推出存储密度出众的 G7 QLC NAND 产品之后，美光再次率先推出采用 G8 QLC NAND 的产品。1该款 QLC 产品采用业界前沿的替换栅极架构，可实现更高的存储密度，支持客户端、移动设备、汽车、数据中心和企业存储领域的广泛用例，其特性包括：
存储密度出众的 OEM 量产 NAND。
密度较上一代 G7 QLC NAND 提高 30%。
高达 2400 MT/s 的业界前沿 I/O 速度，有助于打造性能出众的 SSD。2
美光 2500 NVMe™ SSD 采用美光新发布的业界前沿 G8 QLC NAND。该产品可为用户带来出众体验和日常计算性能。2
更高的密度 与此前技术相比，QLC 的每个单元可存储更多位数，从而提高了密度和成本效益。美光利用业界前沿架构，在全球率先发布 200+ 层 G8 QLC NAND，实现了比竞品更高的存储密度及更短的存取时间，进一步提升了这些优势。1,2
高性能 I/O 速度高达 2400 MT/s，与上一代 G7 QLC NAND 相比，读取性能提高 24%，写入性能提高 31%。1,2
高密度，小尺寸 为 OEM 制造商带来高于竞品 QLC NAND 的每平方毫米可存储字节数，空间更小，但容量更大，可满足客户端设备及大容量数据中心存储的需求。2
您可以通过此单一来源获取所需的工具和资源，以便充分利用美光的产品和解决方案来满足您的设计需求。
1. 竞争厂商包括 SK 海力士、Solidigm、Kioxia、WD 和三星。
2. 用户体验得分基于美光实验室所做的 PCMark 10 测试。性能比较基于 SSD 竞争厂商（详见脚注 1）发布产品时公开的数据表信息。
3. NAND 的比较基于当前在产 NAND 产品（详见脚注 1）发布时公开的信息以及美光的工程数据。
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