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NAND 闪存

176 层 NAND 闪存

美光在 176 层 3D NAND 领域的优势地位为端到端存储技术创新奠定了重要基础。

176 层的创新

美光 176 层 NAND 是众多行业技术人员工具箱中不可或缺的强大基础工具。它具有以下优势,可帮助您提高竞争优势:

特有技术

结合采用了替换栅极架构、电荷阱技术和 CMOS 阵列下 (CuA) 设计。

更高性能

读写速度提高 25% 1意味着启动更快,应用程序响应能力更强。

广泛的应用和部署选择

提供多种接口、容量、外形尺寸以及 TLC(三层单元)或 QLC(四层单元)选择,任何移动、汽车、客户端、消费和数据中心应用均可找到合适的解决方案。

176 层:从客户端到云端的创新

美光过渡到下一代 3D NAND 替换栅极技术

美光的替换栅极 NAND 通过减少单元间电容耦合问题,并利用金属控制栅极减小电阻,成为尖端高容量数据存储系统的一部分,可提供快速、平稳、卓越的性能。

当前 NAND 与 RG NAND 之间的物理差异

特色资源

设计工具

您可以通过此单一来源获取所需的工具和资源,以便充分利用美光的产品和解决方案来满足您的设计需求。

Blue and purple technology circuit

1. 比较结果基于美光的 128 层替换栅极 NAND。

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